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描述

    256Mb的sdram是一個高速CMOS，動態(tài)隨機存取存儲器，包含268,435,456位。它在內部配置為一個具有同步接口的四分組DRAM(所有信號都注冊在時鐘信號的正邊緣，CLK)。x4的67,108,864位銀行中的每一個都被組織為2048行和4位的8192行。每個x8的67,108,864位的銀行被組織成8192行，1024列，8位。x16的67,108,864位銀行中的每個銀行都被組織為8192行，512列，16位。

    對sdram的讀寫訪問是面向突發(fā)的；訪問從選定的位置開始，并在編程序列中繼續(xù)進行編程數(shù)量的位置。訪問從注冊活動命令開始，然后是讀或寫命令。與活動命令同時注冊的地址位用于選擇要訪問的行和行（BA[1：0]選擇行；A[12：0]選擇該行）。與READ或寫命令一致的地址位用于選擇突發(fā)訪問的起始列位置。

   sdram提供了可編程的讀或寫突發(fā)長度(BL)為1個、2個、4個或8個位置，或整個頁，帶有一個突發(fā)終止選項?？梢詥⒂米詣宇A充電功能，以提供在突發(fā)序列結束時啟動的自定時行預充電。

   這個256mb的sdram使用了一個內部的流水線架構來實現(xiàn)高速操作。該體系結構與預取體系結構的2n規(guī)則兼容，但它也允許在每個時鐘周期中更改列地址，以實現(xiàn)高速、完全隨機的訪問。在訪問其他三家銀行中的一家銀行時進行預收費，將隱藏預收費周期，并提供無縫、高速、隨機接入操作。

   256Mb的sdram被設計為在3.3V內存系統(tǒng)中運行。它提供了一種自動刷新模式，以及一種節(jié)電、斷電模式。所有的輸入和輸出都是與LVTTL兼容的。

   SDRAM提供DRAM操作性能的實質性進步，包括同步突發(fā)數(shù)據(jù)的能力高數(shù)據(jù)率自動列地址生成，能夠交錯內部銀行隱藏預充電時間，能夠隨機改變列地址在每個時鐘周期在突發(fā)訪問。

汽車溫度

汽車溫度（AT）選項符合以下規(guī)格：
?16毫秒刷新率
?不支持自刷新
?環(huán)境溫度和外殼溫度不得低于-40°C或高于+105°C

特征
?PC100和PC133兼容
?完全同步；所有信號均呈陽性
系統(tǒng)時鐘邊緣
?內部流水線操作；列地址可以
每個時鐘周期都會改變
?用于隱藏行訪問/預充電的內部銀行
?可編程突發(fā)長度：1、2、4、8或整頁
?自動預充電，包括同時自動預充電
和自動刷新模式
?自刷新模式（AT設備上不可用）
?自動刷新
–64ms，8192次循環(huán)刷新（商用和商用）
（工業(yè)）
–16ms，8192循環(huán)刷新（自動）
?LVTTL兼容的輸入和輸出
?單個3.3V±0.3V電源
選項標記
?配置
–64兆歐x4（16兆歐x4×4組）64M4
32x8兆歐
-16兆歐x16（4兆歐x16×4組）16M16
?寫恢復（tWR）
–tWR=2 CLK A2
?塑料包裝——OCPL1
–54針TSOP II OCPL1
（4億）
（標準）
甘油三酯
–54針TSOP II OCPL1
（4億）
無鉛
P
選項標記
–60球FBGA（x4，x8）（8mm x 16mm）FB
-60球FBGA（x4，x8）（8mm x 16mm）
無鉛
BB
–54球VFBGA（x16）（8毫米x14毫米）FG2
–54球VFBGA（x16）（8毫米x14毫米）
無鉛
BG2
–54球VFBGA（x16）（8mm x 8mm）F43
–54球VFBGA（x16）（8mm x 8mm）
無鉛
B43
?定時–循環(huán)時間
-6ns@CL=3（僅限x8、x16）-6A
-7.5ns@CL=3（PC133）-752
-7.5ns@CL=2（PC133）-7E
?自我刷新
–標準無
–低功耗L2
,
4.
?工作溫度范圍
–商用（0?C至+70?C）無
–工業(yè)（–40?C至+85?C）IT
–汽車溫度在4攝氏度時（–40攝氏度至+105攝氏度）
?修訂版：D/：G