| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 其他 | 型號(hào) | 型號(hào)齊全 |
| 類型 | 其他 | 精度等級(jí) | 其他 |
| 加工定制 | 否 | 產(chǎn)地 | 其他 |
美國(guó)Viatran油壬壓力傳感器520BQS現(xiàn)貨吉林
J.H.Tay等[]研究了不同的選擇壓對(duì)硝化細(xì)菌顆粒化的影響，并推斷了污泥顆粒化需要強(qiáng)選擇壓。X.H.Wang等[1進(jìn)行了選擇壓對(duì)顆粒穩(wěn)定性影響的研究。結(jié)果表明.在過(guò)高的選擇壓下不能形成顆粒污泥，在較低的選擇壓下，顆粒污泥在形成后131d開(kāi)始分解，只有逐漸提高選擇壓才能培養(yǎng)出穩(wěn)定成熟的顆粒污泥。這個(gè)沉降一洗脫過(guò)程是一個(gè)純粹的物理篩選過(guò)程，沒(méi)有微生物的作用和反應(yīng)，但是小的絮狀污泥形成大的顆粒污泥需要微生物分泌的胞外多聚物(EPS)相互黏合來(lái)抵抗高上流速度產(chǎn)生的剪切力以避免一開(kāi)始就被洗出[1引，否則，微小的絮狀污泥沒(méi)有機(jī)會(huì)隨著環(huán)境變化而形成大顆粒污泥，而且事實(shí)證明，很多情況下顆粒污泥都是由小逐漸長(zhǎng)大成熟。
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柱塞泵APP21/1500180B3052
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APP30/1500180B3062柱塞泵
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Zinatizadeh等［18］合成納米復(fù)合超濾膜用于生物反應(yīng)器以處理牛奶加工廢水(MPW)，以混合液懸浮固體(MLSS)和液壓保留時(shí)間(HRT)為兩個(gè)獨(dú)立變量。在整個(gè)實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，COD去除率高達(dá)92%～99%。由于含有很多無(wú)機(jī)組分，污水處理廠二級(jí)處理出水一般不符合工業(yè)用水要求。Yen等［19］在某中試基地，對(duì)比分析了“纖維過(guò)濾(FF)超濾(UF)反滲透(RO)”與“砂濾(SF)反向電滲析(EDR)”兩組工藝對(duì)某工業(yè)園區(qū)高電導(dǎo)率廢水的處理效果，結(jié)果表明：FF－UF對(duì)濁度去除效果好，是適合RO的預(yù)處理過(guò)程；FF－UF－RO的性能高于SF－EDR，平均脫鹽率為97%，滲透電導(dǎo)率為277±，濁度為.183±.2NTU，化學(xué)需氧量＜5mg/L。反應(yīng)器膜反應(yīng)器是一種將膜過(guò)程和反應(yīng)過(guò)程相結(jié)合的新技術(shù)，同時(shí)具備了反應(yīng)和分離的步驟。Ng等［2］評(píng)估了一種新型生物捕獲鹽沼沉積物膜反應(yīng)器(BESMSMR)，用于處理高鹽度制藥廢水。在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，BESMSMR與傳統(tǒng)的膜生物反應(yīng)器(CMBR)和鹽沼沉積物膜生物反應(yīng)器(SMSMBR)以及生物截留膜反應(yīng)器(BEMR)平行運(yùn)行，所用的制藥廢水平均化學(xué)需氧量(TCOD)為(17931±1851)mg/L，總?cè)芙夤腆w(TDS)為(2881±23)mg/L。
穆格MOOG伺服閥 D661-6393C
穆格MOOG伺服閥 D661-4770
穆格MOOG伺服閥 D662-4194/D061-9420
穆格MOOG伺服閥 D662-4141/D062-9320
MOOG 穆格伺服閥 G761-3033B
MOOG 穆格伺服閥 G761-3034B
MOOG 穆格伺服閥 G761-3023B
MOOG 穆格伺服閥 G761-3002B
EMG 伺服閥 LLS 675/02
EMG 伺服閥 SV1-10/32/315-6
EMG 伺服閥 SV1-10/8/315/6SV1-10/16/120/6
EMG 伺服閥 SV1-10/48/315-6
EMG 伺服閥 SV1-10/16/315-6
EMG傳感器KLW 300.012
EMG 位置傳感器 KLW 150.012
EMG 傳感器 KLW 225.012
EMG 位置傳感器 KLW 360.012
EMG 位置傳感器 KLW150.012
EMG 位置傳感器 KLW225.012
EMG 位置傳感器 KLW300.012
EMG 位置傳感器 KLW450.012
EMG 位置傳感器 KLW600.012
EMG 伺服閥 SV1-10/8/315/6
EMG 伺服閥 SV1-10/48/315/6
EMG 伺服閥 SV1-10/32/100/6
EMG 伺服閥 SV1-10/8/120/6
EMG 伺服閥 SV1-10/4/120/6
EMG 伺服閥 SV2-16/125/315/1/1/01
EMG 濾芯 HFE400/10H
EMG 位移傳感器 KLM300/012
EMG 對(duì)中整流器 LLS675/02
EMG 光 LIC1075/11
EMG 電路處理板 EVK2.12
EMG 電源 BK11.02
EMG 處理器 MCU16.1
EMG VKI3-11-200/1600/750/M/E/W/A/
EMG 對(duì)中光源 LID2-800.2C
EMG 對(duì)中光源 LID2-800.2C
EMG 電動(dòng)執(zhí)行器 DMC2000-B3-160-SMC002-DCS
EMG 位移傳感器 KLW300.012
EMG 電路板 LIC2.01.1
EMG 推動(dòng)桿EB1250-60IIW5T
EMG 推動(dòng)桿EB800-60II
EMG 推動(dòng)桿EB220-50/2IIW5T
EMG 推動(dòng)桿EB300-50IIW5T
EMG 發(fā)射光源L1C770/01-24VDC/3.0A
EMG 制動(dòng)器ED121/6 2LL5 551-1
EMG 光電探頭EVK2-CP/800.71L/R
EMG 放大器EVB03/235351
EMG 對(duì)中控制SMI 2.11.1/2358100134300
EMG 電路板SMI 2.11.3/235990
EMG 泵DMC 249-A-40
EMG 泵DMC 249-A-50
EMG 泵DMC 30 A-80
EMG 泵DPMC 59-V-8
EMG 位置傳感器LWH-0300
EMG 電動(dòng)執(zhí)行器DMCR59-B1-10
EMG 伺服閥SV1-10/32/315/6
EMG 伺服閥SV1-10/32/315/8
EMG 伺服閥SV1-10/48/315/8
EMG 伺服閥SV2-10/64/210/6
EMG對(duì)中光源LID2-800.2C
EMG KLW300-012
CPC LS14.02
KLW 360.012
EPC EVM2-CP/1300.71/L/R
EPC CCDPro 5000
CPC LS13.01
EMG光電式測(cè)量傳器 EVM2-CP/1850 71/L/R
EMG高頻光源 LLS875/01
EMG數(shù)字式控制器 ICON SE+VS/AE1054
EMG適配器 EVB03.01
旋裝過(guò)濾器\ARIEL\A-0661
一級(jí)排氣組件\ARIEL\B-5735-N
閥門(mén)組件。\ARIEL\B-5730-N
排放閥\ARIEL\B-3492-HH
吸入閥\ARIEL\B-3491-JJ
排放閥\ARIEL\B-3712-GG
吸入閥\ARIEL\B-4087-FF
同心閥\ARIEL\B-1788-E
排氣閥\ARIEL\B-3712-GG\增壓壓縮機(jī)\JGN/2\F-42917\A-9208
吸入閥\ARIEL\B-4087-FF\增壓壓縮機(jī)\JGN/2\F-42917\A-9251
排出閥\ARIEL\B-3481-JJ
吸入閥\ARIEL\B-4692-M
排出閥\ARIEL\B-5735-P
同心閥\ARIEL\B-1967-E
強(qiáng)制進(jìn)油潤(rùn)滑器泵\ARIEL\A-18525
強(qiáng)制關(guān)閉饋送\ARIEL\A-10753
閥套件\ARIEL\KB-5730-N
閥套件\ARIEL\KB-5735-P
閥套件\ARIEL\KB-3481-JJ
閥套件\ARIEL\KB-4692-M
閥套件\ARIEL\KB-3712-GG
閥套件\ARIEL\KB-4087-FF
閥同心套件\ARIEL\KB-1967-E
一級(jí)排氣閥修理包\ARIEL\KB-5735-N
排氣閥套件\ARIEL\KB-3492-HH
吸入閥套件\ARIEL\KB-3491-JJ
同心閥組件\ARIEL\KB-1788-E
分流閥組件。\ARIEL\A-4386
分流閥組件。\ARIEL\A-6586
美國(guó)Viatran油壬壓力傳感器520BQS現(xiàn)貨吉林
活性炭電極在Li2SO4（pH=6.5）與BeSO4（pH=2.1）電解液中不同電位范圍下測(cè)得的循環(huán)伏安（CV）曲線。圖中紅色虛線標(biāo)示了HER反應(yīng)的電位。當(dāng)電極電位低于紅色虛線后，CV曲線出現(xiàn)明顯的氫離子脫附峰，使得電極偏離電容行為。另外，當(dāng)pH減小時(shí)HER電位相應(yīng)朝正電位方向移動(dòng)。圖片來(lái)自文獻(xiàn)。氧化還原活性物質(zhì)添加劑向電解質(zhì)中加入一對(duì)氧化還原反應(yīng)物質(zhì)是另一種擴(kuò)展電位窗口的方法。使用這種方法的前提條件是：加入的氧化還原反應(yīng)物質(zhì)必須為水溶性且具有高溶解度，且不與電解質(zhì)發(fā)生反應(yīng)；加入的氧化還原反應(yīng)物質(zhì)必須在至少一個(gè)電極上發(fā)生反應(yīng)；加入的氧化還原反應(yīng)物質(zhì)需具有較快的反應(yīng)速率，不能過(guò)大地制約超級(jí)電容器的快速充放電的能力；加入的氧化還原反應(yīng)物質(zhì)的反應(yīng)電位需接近水溶液的HER和/或OER電位，并能借助自身的快速反應(yīng)動(dòng)力學(xué)抑止HER和/或OER的發(fā)生。
