| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 其他 | 型號(hào) | 4英寸 |
| 類型 | 化合物半導(dǎo)體材料 | 材質(zhì) | 氮化鎵 |
| 用途 | RFHEMT | 顏色 | 其他 |
4寸硅基氮化鎵外延片廠家 HEMT RF應(yīng)用
蘇州恒邁瑞材料科技有限公司生產(chǎn)的硅基氮化鎵外延片可用于650V電子電力HEMT及RF射頻高電子遷移率晶體管.目前我司硅基氮化鎵外延片結(jié)構(gòu)可分為D-MODE耗盡型HMET結(jié)構(gòu) ，E-MODE增強(qiáng)型HEMT結(jié)構(gòu)，以及RF HEMT結(jié)構(gòu)，部分結(jié)構(gòu)參數(shù)可根據(jù)客戶設(shè)計(jì)需求定制。
Si Substrate/AlN/(Al,Ga)N buffer/GaNchannel/AlGaNbarrier/0-5 nm GaN/SiNxcap.硅襯底厚度675um 1000um 1500um
GaN氮化鎵材料大的禁帶寬度，使得其制備的功率器件可以在沒(méi)有復(fù)雜設(shè)計(jì)的散熱裝置的輔助下正常工作，這樣可以大幅降低電力電子設(shè)備的體積和成本。又因?yàn)閾舸╇妶?chǎng)強(qiáng)度與能帶的平方成正相關(guān)，GaN氮化鎵材料的擊穿電壓理論上可達(dá)到大于3 MV/cm的水平，遠(yuǎn)大于Si和GaAs。此外，GaN材料同時(shí)還擁有非常卓越的電子傳輸特性，其中包括更高的遷移率，更大的飽和漂移速度。這些使其非常適合用于制作功率電子器件。
