| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 其他 | 型號 | 4英寸 |
| 類型 | 化合物半導(dǎo)體材料 | 材質(zhì) | 碳化硅 |
| 用途 | RF | 顏色 | 其他 |
4英寸碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠家 GaN On SiC
蘇州恒邁瑞材料科技生產(chǎn)供應(yīng)碳化硅基氮化鎵外延片RF HMET結(jié)構(gòu)應(yīng)用于微波電子器件，產(chǎn)品尺寸為4英寸和6英寸，碳化硅襯底為4H-SiC晶型，襯底厚度500um。氮化鎵緩沖層厚度1.8um，氮化鋁間隔層1nm。結(jié)構(gòu)為SiC Substrate/AlN Buffer/Fe doped GaN buffer/GaN channel/1nm AlN interlayer/AlGaN/(In)AlN barrier/GaN cap/ w/o SiNx cap.
第三代半導(dǎo)體材料GaN由于具有眾多優(yōu)異的物理特性，非常適合制備高溫、高頻、大功率電子器件，具有很好的應(yīng)用前景。
