| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | GD | 型號(hào) | GD5F4GQ6UEYIGR |
| 封裝形式 | WSON8 | 導(dǎo)電類型 | 其他 |
| 封裝外形 | 其他 | 集成度 | 其他 |
| 加工定制 | 否 | ||
SPI（串行外圍接口）NAND閃存基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的NAND閃存核心，為嵌入式系統(tǒng)提供了一種超經(jīng)濟(jì)高效的高密度非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)解決方案。它是SPI-NOR和標(biāo)準(zhǔn)并行NAND閃存的有吸引力的替代品，具有高級(jí)功能：
1、總引腳數(shù)為8，包括VCC和GND
2、密度4Gb
3、優(yōu)于SPI-NOR的寫入性能和每比特成本
4、比并行NAND成本低得多
這種低引腳數(shù)NAND閃存遵循行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外圍接口，從一個(gè)密度到另一個(gè)密度始終保持相同的引腳輸出。命令集類似于常見的SPI-NOR命令集，經(jīng)過修改以處理NAND特定的功能并添加了新功能。GigaDevice SPI NAND是一款易于集成的NAND閃存，具有特定的設(shè)計(jì)功能，便于主機(jī)管理：
1、用戶可選擇的內(nèi)部ECC。ECC奇偶校驗(yàn)在頁面編程操作期間在內(nèi)部生成。當(dāng)頁面被讀取到緩存寄存器時(shí)，檢測(cè)ECC奇偶校驗(yàn)，并在必要時(shí)糾正錯(cuò)誤。設(shè)備輸出校正數(shù)據(jù)并返回ECC錯(cuò)誤狀態(tài)。
2、使用內(nèi)部ECC移動(dòng)或復(fù)制內(nèi)部數(shù)據(jù)。該設(shè)備可以輕松地刷新和管理垃圾收集任務(wù)，而無需移入和移出數(shù)據(jù)。此命令字符串只能用于具有相同奇偶校驗(yàn)屬性的塊。
3、通電讀取，內(nèi)部ECC。開機(jī)后，設(shè)備會(huì)自動(dòng)將第一個(gè)區(qū)塊的第一頁讀取到緩存中，然后主機(jī)可以直接從緩存中讀取數(shù)據(jù)，以方便啟動(dòng)。當(dāng)啟用ECC時(shí)，內(nèi)部ECC也保證數(shù)據(jù)正確。
它在基于頁面的操作中編程和讀取，在基于塊的操作中擦除。數(shù)據(jù)被逐頁地傳送到數(shù)據(jù)寄存器和高速緩存寄存器，或從NAND閃存陣列傳送數(shù)據(jù)。高速緩存寄存器最接近I/O控制電路，并充當(dāng)I/O數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)緩沖器；數(shù)據(jù)寄存器最接近存儲(chǔ)器陣列，并且充當(dāng)NAND閃存陣列操作的數(shù)據(jù)緩沖器。高速緩存寄存器用作緩沖存儲(chǔ)器，以啟用頁面和隨機(jī)數(shù)據(jù)讀/寫和復(fù)制回操作。這些設(shè)備還使用SPI狀態(tài)寄存器來報(bào)告設(shè)備操作狀態(tài)。
功能特征
1、 4Gb SLC NAND閃存
2、 頁面大小
（1） 內(nèi)部ECC開啟（ECC_EN=1，默認(rèn)值）：
頁面大?。?048字節(jié)+64字節(jié)
（2） 內(nèi)部ECC關(guān)閉（ECC_EN=0）：
頁面大?。?048字節(jié)+128字節(jié)
3、 標(biāo)準(zhǔn)、雙、四SPI、DTR
（1） 標(biāo)準(zhǔn)SPI：SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#
（2） -雙SPI：SCLK、CS#、SIO0、SIO1、WP#、HOLD#
（3） 四路SPI：SCLK、CS#、SIO0、SIO1、SIO2、SIO3
（4） DTR（雙傳輸速率）讀?。篠CLK、CS#、SIO0、SIO1、SIO2、SIO3
4、 高速時(shí)鐘頻率
（1） 3.3V:104MHz，用于30pF負(fù)載的快速讀取
（2） 1.8V:80MHz，用于30pF負(fù)載的快速讀取
（3） 3.3V：四路I/O數(shù)據(jù)傳輸高達(dá)416Mbit/s
（4） 1.8V：四路I/O數(shù)據(jù)傳輸敢達(dá)320Mbit/s
5、 軟件/硬件寫入保護(hù)
（1） 通過軟件對(duì)所有/部分內(nèi)存進(jìn)行寫保護(hù)
（2） 使用WP#引腳注冊(cè)保護(hù)
6、 單電源電壓
（1） 1.8V的全電壓范圍：1.7V~2.0V
（2） 3.3V的全電壓范圍：2.7V~3.6V
7、 高級(jí)安全功能
（1） 8K字節(jié)OTP區(qū)域
8、 編程/擦除/讀取速度
（1） 頁面程序時(shí)間：典型300us
（2） 塊擦除時(shí)間：典型3ms
（3） 頁面讀取時(shí)間：最大60us
9、 低功耗
（1） 30mA最大有功電流
（2） 85℃時(shí)最大待機(jī)電流為50uA
10、 增強(qiáng)的訪問性能
（1） 用于快速隨機(jī)讀取的2Kbyte緩存
（2） 緩存讀取和緩存程序
11、 NAND的高級(jí)功能
（1） 工廠良好區(qū)塊0
12、 可靠性
（1） 帶ECC的P/E周期：100K
（2） 數(shù)據(jù)保留期：10年
13、 內(nèi)部ECC
（1） 4位/528字節(jié)
