| 詳細參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 其他 | 型號 | GHW-12Z |
| 結構形式 | 其他 | 安裝方式 | 其他 |
| LD指令處理器 | 其他 | 加工定制 | 否 |
系列：GHW
產品描述
GHW-12Z ENI射頻等離子體發(fā)生器產生射頻等離子體。
特征：
具有自我尋址、自我定位、自動I/O檢測等特點。
GHW-12Z ENI射頻等離子體發(fā)生器是一種高性能、高可靠性的射頻電源，專為產生射頻等離子體而設計。
GHW-12Z ENI射頻等離子體發(fā)生器采用先進的射頻技術和控制電路，具有快速響應、高精度、高穩(wěn)定性等特點。同時，它還具備自我保護和故障診斷功能，確保設備的長期穩(wěn)定運行。
GHW50 13.56 MHz、5 kW射頻等離子體發(fā)生器提供經過現(xiàn)場驗證的可靠性、卓越的穩(wěn)定性和的可重復性，可實現(xiàn)高正常運行時間和工藝良率。GHW系列射頻等離子體發(fā)生器可提供208 VAC和400/480 VAC電壓。GHW RF等離子體發(fā)生器非常適合集成電路、平板顯示器和數(shù)據(jù)存儲設備制造過程中的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、高密度等離子體CVD(HDPCVD)、蝕刻和其他薄膜應用。
應用領域
GHW-12Z ENI射頻等離子體發(fā)生器廣泛應用于主要應用于半導體行業(yè)、材料科學、生物醫(yī)學等領域，如等離子體刻蝕、薄膜制備、表面處理等。
