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產(chǎn)品簡介
TYN812RG TO-220 封裝MOS場效應(yīng)管可控硅二三極管集成電路芯片IC
產(chǎn)品價格:¥面議元/
上架日期:2024-10-21
發(fā)貨地:廣東 廣州市
供應(yīng)數(shù)量:不限
最少起訂:1
瀏覽量:1
詳細說明
    詳細參數(shù)

    品牌:GXDZ

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    型號:TYN812RG

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    封裝:元器件配單,咨詢單價/起批量,可控硅MOS場效應(yīng)管,二三極管集成電路芯片IC

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    批號:新年份

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    晶體管極性:二三極管集成IC

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    集射極擊穿電壓(VCEO):MOS場效應(yīng)管單向雙向可控硅

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    最大集電極電流(Icm):鋁電解云母和特氟龍氧化鈮鉭可調(diào)式硅薄膜超級陶瓷陣列網(wǎng)絡(luò)電容器

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    電流放大系數(shù)(hFE):快速標準橋式肖特基超高速整流器陣列整流設(shè)備

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    特征頻率:N/P溝道雙路汽車MOSFET陣列模塊場效應(yīng)管

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    最大耗散功率:SCR雙向觸發(fā)二極管DIAC高壓觸發(fā)二極管SIDAC雙向晶TRIAC晶閘管

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    工作溫度范圍:IGBT模塊JFET雙極BJT 預(yù)偏置雙極 RF開關(guān)達林頓功率數(shù)字配電阻(RET) 復(fù)合晶體管

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    安裝類型:PIN小信號開關(guān)肖特基快恢復(fù)變?nèi)蔟R納穩(wěn)壓TVS瞬變抑制ESD通用功率整流二極管

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    應(yīng)用領(lǐng)域:機械設(shè)備

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    單向雙向可控硅:MOS場效應(yīng)管單向雙向可控硅

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    MOS場效應(yīng)管:驅(qū)動模擬邏輯嵌入式接口時鐘定時存儲數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器放大器光耦合器光電耦合器無線射頻仿真器芯片集成電路IC

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    TVS ESD:PIN小信號開關(guān)肖特基變?nèi)蔟R納(穩(wěn)壓) TVS瞬變抑制ESD通用功率整流二極管

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