| 詳細參數(shù) |
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品牌：GXDZ
,型號：TS820-600B-TR
,封裝：元器件配單,咨詢單價/起批量,可控硅MOS場效應管,二三極管集成電路芯片IC
,批號：新年份
,晶體管極性：二三極管集成IC
,集射極擊穿電壓(VCEO)：MOS場效應管單向雙向可控硅
,最大集電極電流(Icm)：鋁電解云母和特氟龍氧化鈮鉭可調式硅薄膜超級陶瓷陣列網絡電容器
,電流放大系數(shù)(hFE)：快速標準橋式肖特基超高速整流器陣列整流設備
,特征頻率：N/P溝道雙路汽車MOSFET陣列模塊場效應管
,最大耗散功率：SCR雙向觸發(fā)二極管DIAC高壓觸發(fā)二極管SIDAC雙向晶TRIAC晶閘管
,工作溫度范圍：IGBT模塊JFET雙極BJT 預偏置雙極 RF開關達林頓功率數(shù)字配電阻(RET) 復合晶體管
,安裝類型：PIN小信號開關肖特基快恢復變容齊納穩(wěn)壓TVS瞬變抑制ESD通用功率整流二極管
,應用領域：機械設備
,MOS場效應管：驅動模擬邏輯嵌入式接口時鐘定時存儲數(shù)據轉換器放大器光耦合器光電耦合器無線射頻仿真器芯片集成電路IC
,TVS ESD：PIN小信號開關肖特基變容齊納(穩(wěn)壓) TVS瞬變抑制ESD通用功率整流二極管
,單向雙向可控硅：MOS場效應管單向雙向可控硅
