| 詳細參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 普茵沃潤 | 型號 | pywr-cy |
| 裝填方法 | 規(guī)整填料 | 填料材料 | 金屬 |
| 比表面積 | 1.2m,,g | 空隙率 | 65, |
| 填料因子 | Fec | 堆積密度 | 1100kg,m, |
| 外形尺寸 | 2,2.5cm | 產(chǎn)地 | 其他 |
普茵沃潤環(huán)保公司辛玉18660450709
生產(chǎn)的多相芬頓催化劑是針對傳統(tǒng)的芬頓技術(shù)適用pH范圍窄、產(chǎn)泥量大等問題，專為改進傳統(tǒng)芬頓而研制的高效催化劑，該催化劑以多孔復(fù)合材料為載體，以多種貴金屬、稀土金屬氧化物和過渡金屬氧化物為催化組分，經(jīng)過載體摻雜、擠壓成型、混合浸漬、高溫焙燒等工序精制而成，提高了羥基自由基的產(chǎn)生量，避免了鐵泥的產(chǎn)生，減少了二次污染，具有催化活性高、使用壽命長等特點。
2、技術(shù)原理
非均相芬頓催化劑的機理是有機物和雙氧水由溶液主體擴散到催化劑表面的活性位點附近并發(fā)生吸附，隨后在催化劑的催化劑成分的催化作用下，過氧化氫分解產(chǎn)生·OH，從而引發(fā)自由基鏈式反應(yīng)將有機物氧化降解，最后降解產(chǎn)物從催化劑表面脫附，擴散至溶液主體中。然而不論催化劑具體以怎樣的方式發(fā)生作用，非均相體系的催化劑表面大都要發(fā)生復(fù)雜的鐵循環(huán)過程，以維持整個催化氧化反應(yīng)的順利進行，而起氧化作用的活性物種就在這一過程中產(chǎn)生。
3、產(chǎn)品關(guān)鍵創(chuàng)新點
（1）本產(chǎn)品采用多孔復(fù)合材料為催化劑載體，機械強度大，并摻雜多種不易流失催化組分，提高催化劑的催化活性和穩(wěn)定性。高溫?zé)Y(jié)技術(shù)在保證活性組分高利用率高附著度的同時，有效減少催化填料流失率，防止二次污染，延長使用壽命。
（2）本產(chǎn)品通過大量試驗和工程應(yīng)用篩選催化填料的載體及活性組分，保證類芬頓反應(yīng)催化劑效應(yīng)持續(xù)高效。
（3）本產(chǎn)品通過篩選合適的載體和催化組分，提高了催化劑的催化活性及對反應(yīng)廢水pH的適應(yīng)性，一定程度上拓寬了反應(yīng)的pH范圍。
（4）本產(chǎn)品替代了傳統(tǒng)芬頓中亞鐵離子的添加，避免了大量鐵泥的產(chǎn)生，防止二次污染的產(chǎn)生，大大改善了傳統(tǒng)芬頓存在的不足
公司生產(chǎn)的多相芬頓催化劑是針對傳統(tǒng)的芬頓技術(shù)適用pH范圍窄、產(chǎn)泥量大等問題，專為改進傳統(tǒng)芬頓而研制的高效催化劑，該催化劑以多孔復(fù)合材料為載體，以多種貴金屬、稀土金屬氧化物和過渡金屬氧化物為催化組分，經(jīng)過載體摻雜、擠壓成型、混合浸漬、高溫焙燒等工序精制而成，提高了羥基自由基的產(chǎn)生量，避免了鐵泥的產(chǎn)生，減少了二次污染，具有催化活性高、使用壽命長等特點。
2、技術(shù)原理
非均相芬頓催化劑的機理是有機物和雙氧水由溶液主體擴散到催化劑表面的活性位點附近并發(fā)生吸附，隨后在催化劑的催化劑成分的催化作用下，過氧化氫分解產(chǎn)生·OH，從而引發(fā)自由基鏈式反應(yīng)將有機物氧化降解，最后降解產(chǎn)物從催化劑表面脫附，擴散至溶液主體中。然而不論催化劑具體以怎樣的方式發(fā)生作用，非均相體系的催化劑表面大都要發(fā)生復(fù)雜的鐵循環(huán)過程，以維持整個催化氧化反應(yīng)的順利進行，而起氧化作用的活性物種就在這一過程中產(chǎn)生。
3、產(chǎn)品關(guān)鍵創(chuàng)新點
（1）本產(chǎn)品采用多孔復(fù)合材料為催化劑載體，機械強度大，并摻雜多種不易流失催化組分，提高催化劑的催化活性和穩(wěn)定性。高溫?zé)Y(jié)技術(shù)在保證活性組分高利用率高附著度的同時，有效減少催化填料流失率，防止二次污染，延長使用壽命。
（2）本產(chǎn)品通過大量試驗和工程應(yīng)用篩選催化填料的載體及活性組分，保證類芬頓反應(yīng)催化劑效應(yīng)持續(xù)高效。
（3）本產(chǎn)品通過篩選合適的載體和催化組分，提高了催化劑的催化活性及對反應(yīng)廢水pH的適應(yīng)性，一定程度上拓寬了反應(yīng)的pH范圍。
（4）本產(chǎn)品替代了傳統(tǒng)芬頓中亞鐵離子的添加，避免了大量鐵泥的產(chǎn)生，防止二次污染的產(chǎn)生，大大改善了傳統(tǒng)芬頓存在的不足
