| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 富士 | 型號(hào) | 6MBI75S-120 |
| 用途 | 詳詢 | 封裝外形 | 詳詢 |
| 材料 | 詳詢 | 相數(shù) | 詳詢 |
| 控制方式 | 詳詢 | 主電路形式 | 詳詢 |
| 頻率 | 詳詢 | 加工定制 | 否 |
| 導(dǎo)電溝道 | 詳詢 | 導(dǎo)電方式 | 詳詢 |
| 產(chǎn)品認(rèn)證 | 3C認(rèn) | 產(chǎn)地 | 德國(guó) |
上海宣鴻電子科技有限公司主要代理經(jīng)營(yíng)世界各國(guó)公司生產(chǎn)的電力電子器件，主要包括熔斷器功率模塊、IGBT模塊、可控硅模塊、整流橋模塊、二極管模塊、IGBT單管IGBT驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)板、單三相整流橋模塊、IPM模塊、PIM模塊、GTR達(dá)林頓模塊快恢復(fù)二極管、肖特基二極管等。
主要品牌包括: 巴斯曼、英飛凌、歐派克、日本三社、IXYS艾賽斯、西門康、富士、三菱、新電源、東芝、IR、摩托羅拉、西門子、英達(dá)、三肯、三洋、APT、ST等功率模塊。
關(guān)于型號(hào)：本公司為廠家貨源直銷，因產(chǎn)品眾多，部分現(xiàn)貨型號(hào)后期陸續(xù)上架，未上架型號(hào)有需要的親歡迎咨詢.
我司代理功率半導(dǎo)體產(chǎn)品及配套器件，IGBT以及配套驅(qū)動(dòng)。公司憑借多年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)、不懈的開(kāi)拓精神及良好的商業(yè)信譽(yù)，在電力電子行業(yè)樹(shù)立了良好的企業(yè)形象，同時(shí)與多家電力電子企業(yè)和上市公司長(zhǎng)期保持著穩(wěn)定互信的合作關(guān)系，也是眾多電子廠商（富士、三菱、英飛凌、西門康，艾塞斯，尼爾，ABB，西瑪，三社、宏微等）的誠(chéng)信代理商和分銷商。通過(guò)多年的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，公司積累了堅(jiān)實(shí)的功率半導(dǎo)體應(yīng)用知識(shí)為電力拖動(dòng)、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車等行業(yè)提供完善專業(yè)的解決方案，為客戶提供技術(shù)支持！
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上；IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說(shuō)的IGBT也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見(jiàn)；IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”，作為 戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空 、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。
