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     OP275是首款采用巴特勒放大器前端的放大器。這種新型前端設(shè)計集雙極性與JFET晶體管于一體，兼有雙極性晶體管的精度和低噪聲性能，以及JFET晶體管的速度和音質(zhì)?？傊C波失真及噪聲(THD+N)與以前的音頻放大器相當(dāng)，但電源電流低得多。

    l/f轉(zhuǎn)折頻率低于6 Hz，因而噪聲密度響應(yīng)很平坦。無論在30 Hz還是1 kHz測量噪聲，其值僅為6 nV/√Hz。即使在需要較大輸出擺幅時，輸入級的JFET部分也能使OP275具有高壓擺率，從而保持低失真。該器件的壓擺率為22 V/µs，在所有標(biāo)準(zhǔn)音頻放大器中最快。最可喜的是，實現(xiàn)這種低噪聲和高速性能所耗用的電源電流不到5 mA，低于所有標(biāo)準(zhǔn)音頻放大器。

    相對于純雙極性設(shè)計，偏置和失調(diào)電流大大降低，從而直流性能得以改善。輸入失調(diào)電壓能保證達(dá)到1 mV，通常低于200 µV。因此OP275可以用在許多直流耦合或求和應(yīng)用中，無需進(jìn)行特別選擇，或者因采用附加失調(diào)電壓調(diào)整電路而增加噪聲。

    輸出能夠?qū)?00 Ω負(fù)載驅(qū)動至10 V（均方根）,同時保持低失真。3 V（均方根）時THD+N低至0.0006%。

    OP275的額定溫度范圍為-40°C至+85°C工業(yè)溫度范圍，采用塑封DIP和SOIC-8兩種封裝。SOIC-8封裝以2500片卷盤形式提供。出于各種原因，許多音頻放大器都不提供SOIC-8表貼封裝；不過，OP275經(jīng)過特別設(shè)計，采用表貼封裝也能提供最高性能。

 

                     

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