ASML 4022.634.17485
：技術(shù)參數(shù)與性能解析
ASML作為全球領(lǐng)先的光刻設(shè)備制造商，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹ASML 4022.634.17485這一型號(hào)的光刻設(shè)備參數(shù)，幫助讀者全面了解其技術(shù)特點(diǎn)與性能優(yōu)勢(shì)。
基本信息
●
型號(hào)：ASML 4022.634.17485
●
類型：浸沒式光刻機(jī)
●
用途：用于先進(jìn)半導(dǎo)體芯片制造，支持7nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)
光源系統(tǒng)
●
光源類型：ArF（氟化氬）準(zhǔn)分子激光
●
波長(zhǎng)：193nm
●
光源功率：≥60W
●
激光穩(wěn)定性：優(yōu)于0.5%
ASML 4022.634.17485采用先進(jìn)的ArF準(zhǔn)分子激光作為光源，其193nm的波長(zhǎng)能夠滿足高分辨率光刻需求。光源功率高達(dá)60W以上，確保了設(shè)備的高效運(yùn)行，而激光穩(wěn)定性控制在0.5%以內(nèi)，則保證了光刻過程中的高精度與一致性。
光學(xué)系統(tǒng)
●
物鏡數(shù)值孔徑：1.35
●
投影透鏡系統(tǒng)：雙工件臺(tái)系統(tǒng)
●
分辨率：≤7nm
●
套刻精度：≤1.5nm
該設(shè)備的光學(xué)系統(tǒng)具備高數(shù)值孔徑的物鏡和先進(jìn)的雙工件臺(tái)投影透鏡系統(tǒng)，這不僅提高了光刻分辨率，使其達(dá)到7nm及以下水平，還保證了套刻精度在1.5nm以內(nèi)，從而滿足了先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)對(duì)高精度光刻的嚴(yán)格要求。
工件臺(tái)系統(tǒng)
●
工件臺(tái)類型：TWINSCAN平臺(tái)
●
移動(dòng)速度：≥500mm/s
●
加速度：≥10g
●
定位精度：≤0.5nm
ASML 4022.634.17485搭載的TWINSCAN平臺(tái)工件臺(tái)系統(tǒng)，具有高速移動(dòng)和高加速度的特點(diǎn)，移動(dòng)速度可達(dá)500mm/s以上，加速度超過10g。同時(shí)，其定位精度高達(dá)0.5nm以下，確保了光刻過程中的高精度定位與曝光。
浸沒系統(tǒng)
●
浸沒液體：去離子水
●
浸沒液溫度控制：±0.01°C
●
浸沒液厚度控制：±1nm
采用去離子水作為浸沒液體，通過精確的溫度和厚度控制，ASML 4022.634.17485的浸沒系統(tǒng)能夠有效提高光刻分辨率并減少工藝誤差。溫度控制精度在±0.01°C以內(nèi)，厚度控制精度則在±1nm以內(nèi)。
生產(chǎn)能力
●
產(chǎn)能：≥200wph（每小時(shí)晶圓數(shù)）
●
生產(chǎn)效率：支持多模式生產(chǎn)
●
良率：≥95%
該設(shè)備具備較高的生產(chǎn)能力，每小時(shí)可處理200片以上晶圓。支持多模式生產(chǎn)，能夠靈活適應(yīng)不同工藝需求。此外，設(shè)備良率高達(dá)95%以上，為客戶帶來了顯著的經(jīng)濟(jì)效益。
環(huán)境與安全
●
能耗：≤1000kW
●
噪音水平：≤85dB(A)
●
安全標(biāo)準(zhǔn)：符合國(guó)際安全標(biāo)準(zhǔn)
ASML 4022.634.17485在能耗和噪音控制方面表現(xiàn)出色，能耗不超過1000kW，噪音水平控制在85dB(A)以下。同時(shí)，設(shè)備符合國(guó)際安全標(biāo)準(zhǔn)，保障了操作人員的安全與健康。
總結(jié)
ASML 4022.634.17485作為一款先進(jìn)的浸沒式光刻設(shè)備，憑借其卓越的光源系統(tǒng)、光學(xué)系統(tǒng)、工件臺(tái)系統(tǒng)和浸沒系統(tǒng)，以及高效的生產(chǎn)能力和良好的環(huán)境與安全性能，為半導(dǎo)體芯片制造提供了強(qiáng)大的技術(shù)支持。其技術(shù)參數(shù)和性能優(yōu)勢(shì)使其成為全球半導(dǎo)體行業(yè)不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備之一。
聯(lián)系人：吳經(jīng)理 手機(jī)：18596688429（微信同號(hào)）郵箱：841825244@qq.com
ASML 4022.634.17485
