HONEYWELL 51404092-100設計方法可保持溫度和工藝變化條件下的SRAM穩(wěn)定性，同時實現(xiàn)全球最小的0.245μm2的存儲單元面積。
日本東京和美國加利福尼亞州圣荷西——2007年2月13日——瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）與松下電器產(chǎn)HONEYWELL 51404092-100公司（紐約證券交易所代碼：MC）今天宣布，共同開發(fā)出一種可以使45nm工藝傳統(tǒng)CMOS＊1的SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）穩(wěn)定工作的技術，這種SRAM可以嵌入在SoC（系統(tǒng)級芯片）器件和微處理器（MPU）當中。采用這種技術的512Kb SRAM的實驗芯片的測試已經(jīng)得到證實，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩(wěn)定工作，而且在工藝發(fā)生變化時具有較大的工作電壓范圍裕量。采用45nm CMOS工藝生產(chǎn)的用于實驗的SRAM芯片集成了兩種不同的存儲單元設計，一個元件面積僅有0.327μm2，另一個的元件面積為0.245μm 2——這是全球最小的水平。更小的存儲單元是利用減少處理尺寸裕量實現(xiàn)的。
這一技術進展的細節(jié)將在正在舊金山舉行的2007國際固態(tài)電路會議（ISSCC 2007）的第18分組會議的18.3論文時段進行宣講。該創(chuàng)新具有重大意義，因為SRAM是用于嵌入式控制應用的SoC和MPU的十分重要的片上功能?；ハ嗝艿内厔菰谟冢@些應用正變得更加復雜，需要更多的SRAM，正如半導體工藝的縮小使生產(chǎn)適當設備功能所需的可穩(wěn)定工作的SRAM變得更加困難那樣。采用新的制造技術生產(chǎn)的45nm工藝SRAM將有助于以低成本實現(xiàn)高性能的芯片，因為它使用傳統(tǒng)CMOS而不是硅絕緣體（SOI）材料這一比較昂貴的方法。
解決了不可避免的柵極電壓
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