HONEYWELL 51404126-250因此，即使在溫度增加和工藝變化條件下存儲單元電氣特性的對稱性降低的情況下，也可以保證各種工作條件下存儲單元讀操作的穩(wěn)定性。
HONEYWELL 51404126-250 新型寫輔助電路在存儲單元的柱式單元電源線中增加了更精細(xì)的電源線（劃分為8條），在某種意義上寫操作所需的隔離只在必要的地方執(zhí)行。而且，它可實(shí)現(xiàn)分層結(jié)構(gòu)的電源布線。這將減少關(guān)鍵區(qū)域的電源線電容，有助于在高速時將電源線電位降到低電位。實(shí)驗(yàn)芯片的測量表明，與沒有采用上述技術(shù)的SRAM設(shè)計(jì)相比，即使在最差壞條件（－40℃，最小工作電壓和最差工藝條件）下，新型寫輔助電路也可以顯著改善SRAM的寫速度。
新產(chǎn)品的尺寸為長14×寬8.6×高7mm。與以往產(chǎn)品的長20.2×寬11.2×高9.7mm相比，體積約為減少了6成多。
新產(chǎn)品的性能指標(biāo)如下：接觸電阻在AC10V、10mA、伏安法測定時為100mΩ以下。額定耗電量方面，單卷線閂鎖型和單穩(wěn)定型為200mW，
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