4英寸碳化硅晶錠工廠 N型SiC襯底晶片廠家
蘇州恒邁瑞材料供應(yīng)4英寸碳化硅晶錠，包含導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅晶錠。單個(gè)碳化硅晶錠平均厚度20mm，可用于設(shè)備切割測(cè)試或后道切磨拋。碳化硅材料用于肖特基二極管（SBD），金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）的制作。這些電子電力器件可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器，風(fēng)力發(fā)電，混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車(chē)等綠色能源和節(jié)能系統(tǒng)。
碳化硅襯底片主要分為導(dǎo)電型和半絕緣型，導(dǎo)電型SiC碳化硅襯底以n型碳化硅襯底為主，主要用于外延GaN基LED等光電子器件、SiC基電力電子器件等，半絕緣型碳化硅襯底片主要用于外延制造GaN高功率射頻器件。高純半絕緣HPSI與SI半絕緣是有區(qū)別的，高純半絕緣載流子濃度3.5*1013~8*1015/cm3范圍，具有較高的電子遷移率；半絕緣是高阻材料，電阻率很高，一般用于微波器件襯底，不導(dǎo)電。
